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单层式 (SLC) NAND 型闪存

W29N01:


型号

电压

频率

温度

结构

W29N01GV

2.7V~3.6V

25ns

-40℃~85℃

2048+64Byte page size 128K+4KByte block size x8

W29N01GZ

1.7V~1.95V

35ns

-40℃~85℃

2048+64Byte page size 128K+4KByte block size x8

W29N01GW

1.7V~1.95V

35ns

-40℃~85℃

2048+64Byte page size 128K+4KByte block size x16

W29N01HV

2.7V~3.6V

25ns

-40℃~85℃

2048+64Byte page size 128K+4KByte block size x8


◆工作电压: 2.7V 至 3.6V 
◆数据总线: x8 
◆工作温度: 商业级: 0°C to 70°C 
◆工业级: -40°C to 85°C 
◆单个存储单元技术 
◆容量: 1G-位/128M-字节 
◆页大小: 2,112 字节 (2048 + 64 字节) 
◆块大小: 64 页 (128K + 4K 字节) 
◆随机读取: 25微秒 
◆按顺序读取: 25ns 
◆每页编程时间: 250微秒(典型值.)
◆块擦除时间: 2毫秒(典型值.)
◆标准 ONFI NAND 命令集 
◆内存区域支持OTP


W29N02GV:


型号

电压

频率

温度

结构

W29N02GV

2.7V~3.6V

25ns

-40℃~85℃/-40 to +105

2048+64Byte page size 128K+4KByte block size x8


◆工作电压: 2.7V 至 3.6V 
◆数据总线: x8  
◆工作温度: 工业级: -40°C to 85°C , 汽车级: -40°C to 105°C
◆单个存储单元技术
◆容量: 2G-位/256M-字节
◆页大小: 2,112 字节 (2048 + 64 字节)
◆块大小: 64 页 (128K + 4K 字节) 
◆随机读取: 25微秒 
◆按顺序读取: 25ns 
◆每页编程时间: 250微秒(典型值.)
◆块擦除时间: 2毫秒(典型值.)
◆标准 ONFI NAND 命令集 
◆内存区域支持OTP